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湖南盈能電力科技有限公司，專業(yè)儀器儀表及自動(dòng)化控制設(shè)備等。電力電子元器件、高低壓電器、電力金具、電線電纜技術(shù)研發(fā)；防雷裝置檢測(cè)；儀器儀表，研發(fā)；消防設(shè)備及器材、通訊終端設(shè)備；通用儀器儀表、電力電子元器件、高低壓電器、電力金具、建筑材料、水暖器材、壓力管道及配件、工業(yè)自動(dòng)化設(shè)備銷；自營(yíng)和各類商品及技術(shù)的進(jìn)出口。
的產(chǎn)品、的服務(wù)、的信譽(yù)，承蒙廣大客戶多年來(lái)對(duì)我公司的關(guān)注、支持和參與，才鑄就了湖南盈能電力科技有限公司在電力、石油、化工、鐵道、冶金、公用事業(yè)等諸多領(lǐng)域取得的輝煌業(yè)績(jī)，希望在今后一如既往地得到貴單位的鼎力支持，共同創(chuàng)更加輝煌的明天！
無(wú)論您要布局新的商用電力或暖通空調(diào)系統(tǒng)，還是想改造現(xiàn)有設(shè)置，其過(guò)程都既漫長(zhǎng)又無(wú)聊。通過(guò)在工具包中添加激光水平儀，您的工作將變得快速、準(zhǔn)確。但現(xiàn)有的一些激光水平儀很容易斷，并且會(huì)在正常的操作過(guò)程中失去校準(zhǔn)。福祿克認(rèn)識(shí)到現(xiàn)有激光水平儀與技術(shù)人員真正需要的激光水平儀之間存在差距，決心一套專業(yè)級(jí)別的激光水平儀，使其擁有眾所周知的準(zhǔn)確性、可靠性和耐用性。這些福祿克激光水平儀通過(guò)了嚴(yán)格測(cè)試，證明能夠承受一米的跌落沖擊。
本次測(cè)試中，中興通訊實(shí)現(xiàn)將8路25G信號(hào)匯聚到一路200G波長(zhǎng)中傳送，滿帶寬下所有業(yè)務(wù)的前傳端到端時(shí)延為5us，低于傳統(tǒng)設(shè)備一個(gè)數(shù)量級(jí)，完全滿足5G承載要求；后續(xù)還將引入靈活和輕量的FlexO+技術(shù)等創(chuàng)新技術(shù)，端到端時(shí)延有望降到1us。OTN具有大帶寬、低時(shí)延、多業(yè)務(wù)透明傳送、高精度同步、安全可靠、易維護(hù)等特點(diǎn)，很好的匹配了5G的需求，是未來(lái)5G承載的主流技術(shù)。在對(duì)時(shí)延極其敏感的5G前傳網(wǎng)絡(luò)中，采用OTN承載，可實(shí)現(xiàn)CPReCPRNGFEthernet等多路業(yè)務(wù)信號(hào)的點(diǎn)到點(diǎn)波長(zhǎng)直達(dá)傳輸，中間節(jié)點(diǎn)光層穿通，所有業(yè)務(wù)的時(shí)延都是。
磁致伸縮液位計(jì)磁致伸縮液位計(jì)的傳感器工作時(shí)，傳感器的電路部分將在波導(dǎo)絲上激勵(lì)出脈沖電流，該電流沿波導(dǎo)絲傳播時(shí)會(huì)在波導(dǎo)絲的周圍產(chǎn)生脈沖電流磁場(chǎng)。在磁致伸縮液位計(jì)的傳感器測(cè)桿外配有一浮子，此浮子可以沿測(cè)桿隨液位的變化而上下。在浮子內(nèi)部有一組 磁環(huán)。當(dāng)脈沖電流磁場(chǎng)與浮子產(chǎn)生的磁環(huán)磁場(chǎng)相遇時(shí)，浮子周圍的磁場(chǎng)發(fā)生改變從而使得由磁致伸縮材料成的波導(dǎo)絲在浮子所在的位置產(chǎn)生一個(gè)扭轉(zhuǎn)波脈沖，這個(gè)脈沖以固定的速度沿波導(dǎo)絲傳回并由檢出機(jī)構(gòu)檢出。
LED日光燈電源發(fā)熱到一定程度會(huì)導(dǎo)致燒壞，關(guān)于這個(gè)問(wèn)題，也見(jiàn)到過(guò)有人在行業(yè)論壇發(fā)過(guò)貼討論過(guò)。本文將從芯片發(fā)熱、功率管發(fā)熱、工作頻率降頻、電感或者變壓器的選擇、LED電流大小等方面討論LED日光燈電源發(fā)熱燒壞MOS管技術(shù)。芯片發(fā)熱本次內(nèi)容主要針對(duì)內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動(dòng)芯片。如芯片消耗的電流為2mA，300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W，當(dāng)然會(huì)引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動(dòng)芯片的電流來(lái)自于驅(qū)動(dòng)功率MOS管的消耗，簡(jiǎn)單的計(jì)算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf，其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時(shí)的gate電壓，所以為了降低芯片的功耗，必須想法降低v和f.如果v和f不能改變，那么請(qǐng)想法將芯片的功耗分到芯片外的器件，注意不要引入額外的功耗。
PID（PotentianInducedDegradation）是一種電勢(shì)誘導(dǎo)衰減現(xiàn)象，是指組件長(zhǎng)期在高電壓下使得玻璃，封裝材料之間存在漏電流，大量電荷聚集在電池表面。使得電池表面的鈍化效果惡化，導(dǎo)致填充因子（FF），短路電流（Isc），路電壓（Voc）降低，使得組件的性能低于設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)，發(fā)電能力也隨之下降。2010年，NREL和Solon證實(shí)了無(wú)論組件采取何種技術(shù)的P型晶硅電池，組件在負(fù)偏壓下都有PID的風(fēng)險(xiǎn)。
測(cè)試線方向不對(duì)，距離不夠長(zhǎng)。解決措施：找準(zhǔn)測(cè)試方向和距離?？赡茉谑褂媒拥仉娮铚y(cè)試儀時(shí)有其他設(shè)備的干擾影響。br/解決措施：調(diào)整放線方向，盡量避干擾大的方向，使測(cè)試儀讀數(shù)減少跳動(dòng)。測(cè)試夾與接地測(cè)量點(diǎn)接觸電阻過(guò)大。解決措施：將接觸點(diǎn)用銼或砂紙磨光，用測(cè)試線夾子充分夾好磨光觸點(diǎn)。(地網(wǎng))周邊土壤構(gòu)成不一致，性能試驗(yàn)地質(zhì)不一，緊密、干濕程度不一樣，具有分散性，地表面雜散電流、特別是架空地線、地下水管、電纜外皮等等，對(duì)測(cè)試影響特別大。
相信大家都還記得217年6月在上映的《新木乃伊》掀起了一波木乃伊熱潮。然而，細(xì)心的同行們會(huì)發(fā)現(xiàn)，片中竟然出現(xiàn)了美國(guó)FLIR紅外熱成像儀。到底是哪款設(shè)備能夠入得了大名鼎鼎的艾利克斯導(dǎo)演的法眼，并在影片中精彩亮相的呢？下面，將為大家介紹一下：T6系列式紅外熱成像儀極限分辨率FLIRT6紅外熱成像儀具有 強(qiáng)成像性能和精度的產(chǎn)品3大優(yōu)異的熱成像功能，包含64×48原始分辨率。像素?zé)岱直媛?，具有UltraMaxTM（超級(jí)放大）功能—分辨率改善4倍，獲得更細(xì)微的細(xì)節(jié)信息和精度。