一個(gè)很重要的需要注意的一點(diǎn)是，高的分辨率并不代表高的精度。，兩個(gè)同樣精度的旋轉(zhuǎn)編碼器,一個(gè)分辨率是3600PPR,而另外一個(gè)是10000PPR。低分辨率的編碼器(3600PPR)可以0.1°的測量距離，而高分辨率的編碼器可以一個(gè)更小的測量距離，但是二者的精度是相同的，高分辨率編碼器僅僅是具有將0.1°縮小到更小的增量距離的能力。編碼器分辨率和精度是兩個(gè)獨(dú)立的概念，如上圖所示，兩個(gè)編碼器具有相同的分辨率(24PPR)但是具有不同的精度。BC-HA-VVRP補(bǔ)償導(dǎo)線品牌認(rèn)證BC-HA-VVRP補(bǔ)償導(dǎo)線
簡要說明:低煙無鹵電纜
詳細(xì)介紹:

一、用途：該產(chǎn)品阻燃性能優(yōu)越，燃燒時(shí)煙度甚少，無腐蝕性氣體逸出，廣泛應(yīng)用于核電站、地鐵車站、電話機(jī)及計(jì)算機(jī)控制中心、高層建筑大樓、賓館、廣播電視臺(tái)、重要事設(shè)施、石油等，以及人員較集中，空氣密度低的場所。

  二、使用特性：

1.阻燃性和不延燃性優(yōu)異。

2.燃燒時(shí)發(fā)煙量 甚 少，不產(chǎn)生有氣體，不產(chǎn)生腐蝕性氣體。

3.具有一定的機(jī)械物理與電氣性能，能滿足電纜的使用要求。 

四、型號(hào)名稱 

1．低煙無鹵阻燃電力電纜 

型號(hào) 名稱

WLZR－YY 聚乙絕緣低煙無鹵阻燃聚烴護(hù)套電力電纜

WLZR－YJY 輻照交聯(lián)聚乙絕緣低煙無鹵阻燃聚烴護(hù)套電力電纜

WLZR－YWY 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣低煙無鹵阻燃聚烴護(hù)套電力電纜

WLZR－YJWY 輻照交聯(lián)低煙無鹵阻燃聚烴絕緣低煙無鹵阻燃聚烴護(hù)套電力電纜

WLZR－YY23 聚乙絕緣鋼帶鎧裝低煙無鹵阻燃聚烴護(hù)套電力電纜

WLZR－YJY23 輻照交聯(lián)聚乙絕緣鋼帶鎧帶低煙無鹵阻燃聚烴護(hù)套電力電纜

WLZ－YWY23 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣鋼帶鎧裝低煙無鹵阻燃聚烴護(hù)套電力電纜

WLZ－YJWY23 輻照交聯(lián)低煙無鹵阻燃聚烴絕緣鋼帶鎧裝低煙無鹵阻燃聚烴護(hù)套電力電纜 

BC-HA-VVRP補(bǔ)償導(dǎo)線品牌認(rèn)證BC-HA-VVRP補(bǔ)償導(dǎo)線空心磚墻和泡沫磚墻不可以埋設(shè)混凝土支架，需要根據(jù)井道的具體情況，架設(shè)井道鋼結(jié)構(gòu)；距離井道底部1m處，排導(dǎo)軌支架。距離井道頂部0.5m處， 一排導(dǎo)軌支架，這兩處沒有圈梁，需要混凝土支 每根導(dǎo)軌至少應(yīng)有2個(gè)導(dǎo)軌支架，其間距不大于2.5m。由于圈梁之間的距離小于2.5m，有的隊(duì)采取混凝土澆鑄支架，放棄在圈梁上支架，這種方法成本高，主要是為了賺取的附程費(fèi)，不可取。
2．低煙無鹵阻燃計(jì)算機(jī)電纜 

型號(hào) 名稱

WLZR－DJYY(R)P 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套銅絲編織總屏計(jì)算機(jī)用屏蔽(軟)電纜

WLZR－DJYPY(R) 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套銅絲編織分屏計(jì)算機(jī)用屏蔽(軟)電纜

WLZR－DJYPY(R)P 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套銅絲編織分屏總屏計(jì)算機(jī)用屏蔽(軟)電纜

WLZR－DJYY(R)P2 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套銅帶繞包總屏計(jì)算機(jī)用屏蔽(軟)電纜

WLZR－DJYP2Y(R) 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套銅帶繞包分屏計(jì)算機(jī)用屏蔽(軟)電纜

WLZR－DJYP2Y(R)P2 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套銅帶繞包分屏總屏計(jì)算機(jī)用屏蔽(軟)電纜

WLZR－DJYDYD(R)P3 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套鋁塑復(fù)合帶繞包總屏計(jì)算機(jī)用屏蔽(軟)電纜 WLZR－DJYDP3YD(R) 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套鋁塑復(fù)合帶繞包分屏計(jì)算機(jī)用屏蔽(軟)電纜 WLZR－DJYDP3YD(R)P3 低煙無鹵阻燃聚烴絕緣和護(hù)套鋁塑復(fù)合帶繞包分屏總屏計(jì)算機(jī)用屏蔽
BC-HA-VVRP補(bǔ)償導(dǎo)線品牌認(rèn)證BC-HA-VVRP補(bǔ)償導(dǎo)線主要用于存儲(chǔ)程序中的變量。在單芯片單片機(jī)中（*1），常常用SRAM作為內(nèi)部RAM。SRAM允許高速訪問，內(nèi)部結(jié)構(gòu)太復(fù)雜，很難實(shí)現(xiàn)高密度集成，不適合用作大容量內(nèi)存。除SRAM外，DRAM也是常見的RAM。DRAM的結(jié)構(gòu)比較容易實(shí)現(xiàn)高密度集成，比SRAM的容量大。將高速邏輯電路和DRAM于同一個(gè)晶片上較為困難，一般在單芯片單片機(jī)中很少使用，基本上都是用作外圍電路。（*1）單芯片單片機(jī)是指：將CPU，ROM，RAM，振蕩電路，定時(shí)器和串行I/F等集成于一個(gè)LSI的微器。