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湖南盈能電力科技有限公司，專業(yè)儀器儀表及自動化控制設備等。電力電子元器件、高低壓電器、電力金具、電線電纜技術研發(fā)；防雷裝置檢測；儀器儀表，研發(fā)；消防設備及器材、通訊終端設備；通用儀器儀表、電力電子元器件、高低壓電器、電力金具、建筑材料、水暖器材、壓力管道及配件、工業(yè)自動化設備銷；自營和各類商品及技術的進出口。
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汽車行業(yè)ADAS功能需求日益增長，防疲勞駕駛是一個熱門方向，對于駕駛員狀態(tài)的檢測，人臉識別是基礎，只有快速準確地識別到人臉，才能對人臉狀態(tài)進行分析。本文將介紹基于S32V來實現(xiàn)人臉識別的應用。S32V視覺NXP于215始推出S32V，現(xiàn)在已經推出了第二代型號S32V234，第三代目前已經在樣品階段，該為ADAS視覺，了視覺系統(tǒng)應用所需的性能和功能。對于圖像，S32V具有自己的特色：硬件方面：具有兩路CSI和兩路并口攝像頭接口，了可圖形化編程的ISP、APEX，以及3D渲染的GPU。
同樣，產品的顏色、光照及背景情況也很重要，如果變化很大，可能很難或者根本就找不到相匹配的模型。矢量成像技術矢量成像技術采用圖像作為示教參考模型，以確保不產生錯誤。矢量成像不需要像素分析，它靠的是定義元件形狀的交點矢量，矢量由方向和傾斜度確定，在矢量成像技術里一個正方形相當于四條線段，一個足球則相當于兩個弧形。矢量成像技術采用視窗操作系統(tǒng)，使用一種高分辨率數(shù)字相機，系統(tǒng)采用統(tǒng)計過程控制(SPC)軟件和一個根據(jù)線路板上所裝配并需要進行檢查測量分析元件所作的綜合元件圖形庫，它能將Gerber、CAD或ASCII/Centrid數(shù)據(jù)轉換成機器代碼。
當輸出電壓Uout降低時，基準電壓與取樣電壓的差值增加，比較放大器輸出的驅動電流增加，串聯(lián)調整管壓降減小，從而使輸出電壓升高。相反，若輸出電壓Uout超過所需要的設定值，比較放大器輸出的前驅動電流減小，從而使輸出電壓降低。供電過程中，輸出電壓校正連續(xù)進行，調整時間只受比較放大器和串聯(lián)調整管回路反應速度的限制。環(huán)路內的負反饋總是強制比較放大器調節(jié)輸入兩端的電壓使其相等。LDO的效率不高，下表是3.3v的LDO量得的數(shù)據(jù)。
testo89紅外熱成像儀因其高熱靈敏度、高分辨率、德圖專利的濕度成像功能，順利完成檢測任務。解決方案德圖 來到洞窟后，對現(xiàn)場評估。洞內的石像在古代依山鑿而成，歷經朝代更迭，石像表面進行了泥塑彩繪并以這樣的姿態(tài)流傳現(xiàn)今。此次，針對此類石窟石像，有三個檢測目標：發(fā)現(xiàn)裂紋檢測佛像表面的泥塑裂紋，使得文物修復 盡早發(fā)現(xiàn)并著手修復。當泥塑的裂紋擴大到肉眼可見甚至始脫落時，石像的修復難度就越大。佛像均有十幾米高，近距離檢查佛像本體十分不便。
Rogowski線圈是以德國物理學家WalterRogowski命名，用于測量交流電電器設備，我們通常也會叫柔性線圈、羅氏線圈或者洛氏線圈。對于這一技術常見的使用場景有：脈沖電流、工頻正弦電流、高速瞬間、交流電流、高次諧波電流、復雜波形電流、瞬態(tài)沖擊電流、啟動電流、相位、電能、功率和功率因數(shù)等檢測。ETCR銥泰科技推出ETCR-FA和ETCR-FB系列柔性線圈，可搭配ETCR1F分離式柔性線圈積分器使用。
典型充電器框圖在有線應用中，變壓器是一個帶有核心的單元，可確保初級產生的(幾乎)所有通量都能耦合到次級。這確保了高水平功率傳輸，進而助力構建高能效的充電器。為了打造無線充電器，變壓器被分為初級和次級，初級(發(fā)射器)保留在充電器中，次級(接收器)位于將要充電的設備中。初級和次級之間的距離將因應用而異，并會對充電器的性能產生重大影響。通過將核心替換為“空氣”，通量傳輸減少。如果在基于核心的變壓器中，耦合系數(shù)(k)近似為1，那么在無線應用中，k的值將接近0.25。
毋庸置疑，這種運營方式代價高昂，更不必說這絕不可能是無懈可擊的全天候控制過程。多年來，采礦工業(yè)極為關心泄漏和水資源管理對環(huán)境的影響，并且一直在積極尋求監(jiān)控方法?！笨紤]到這些需求，IntelliView發(fā)出一種行之有效的、能在數(shù)秒鐘之內檢測和報小規(guī)模地上液體泄漏、和匯聚成池的方法。IntelliView的泄漏檢測解決方案采用新一代稱之為DCAM?(雙攝像頭分析模塊)的產品，一款將可見光相機和FLIR熱像儀與內置專利型泄漏分析技術集于一體的緊湊型產品。18年1月3日，NI(美國 儀器，NationalInstruments,簡稱NI)作為致力于為工程師和科學家基于的系統(tǒng)解決方案來應對 嚴峻工程挑戰(zhàn)的商，宣布推出PXIe-4163高密度源測量單元(SMU)，該測量單元了比以往NIPXISMU高達6倍的直流通道密度，適用于測試RMEMS以及混合信號和其他模擬半導體元件。NI 銷和市場執(zhí)行副總裁EricStarkloff表示：“5物聯(lián)網和自動駕駛汽車等性的技術發(fā)展給半導體企業(yè)帶來持續(xù)的壓力。